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電子零部件
STT-MRAM將取代SRAM和DRAM，開始樣品供貨
2013/01/29 00:00
STT- MRAM是採用了名為自旋注入磁化反轉（spin transfer torque：STT）數據擦寫技術的磁記憶體（MRAM）。
這種記憶體具有非揮發性、工作速度快、擦寫次數無限制、容易增大容量的理想性能，改變了「記憶體（硬碟及NAND快閃記憶體）為非揮發性、更高層次的記憶體為易失性」的傳統架構。
如果電子產品的記憶體及快取所使用的DRAM和SRAM換成 STT-MRAM，具有非揮發性，那麼能夠大幅降低耗電量。
比如，將STT-MRAM用於微處理器的快取，就能夠高頻率切斷電源，可將耗電量降至原來的幾分之一以下。
2012年11月，美國Everspin Technologies公司開始樣品供貨64Mbit產品，STT-MRAM步入實用階段。
目標是實現Gbit級的大容量
STT-MRAM的記憶元件（MTJ）越微細，擦寫電流就越小，越容易減小讀寫用電晶體，因此越容易高度集成（a）。2012年11月，已開始樣品供貨 64Mbit產品（b）。
（圖由本站根據超低電壓元器件技術研究聯盟（LEAP）的資料製作，
攝影：Everspin Technologies公司）
2006年開始量產的傳統MRAM在數據寫入線上通入電流，
利用其周圍產生的磁場進行數據擦寫。
而STT-MRAM能夠利用記憶元件中流過的電流擦寫數據，
可實現記憶體單元的微細化和高度集成。
由於STT-MRAM有望實現Gbit級的大容量，因此全球範圍內開發競爭越來越激烈。
在2012 年12月的「IEDM（International Electron Devices Meeting） 2012」上，
有三場技術會議，發表了近10項開發成果。
在開發取代DRAM的大容量產品方面走在前列的是東芝，
該公司在IEDM 2012上發表了3篇論文。
目前，東芝正與南韓SK Hynix共同開發，計劃2014年實現產品化。
據說東芝已將幾十名技術人員派往SK Hynix的開發中心，
著手試製30nm製程以後的Gbit產品。
東芝希望將STT-MRAM與自家的硬碟和SSD組合，強化記憶體業務。
南韓三星電子也表示：
「希望採用非常微細的工藝技術開發出產品」（記憶體技術人員），目前正在穩步推進開發。
（記者：大下 淳一，《日經電子》）
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■日文原文
SRAMやDRAMの代替に向け、サンプル出荷始まる
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