Cypress推32位元匯流排128/64/32Mb非同步SRAM

Cypress推32位元匯流排128/64/32Mb非同步SRAM

上網時間: 2011年08月08日

http://www.eettaiwan.com/ART_8800648560_628626_NP_3fd3c65a.HTM

Cypress Semiconductor 日前推出

128-Mbit、64-Mbit、以及32-Mbit 的超長電池續航力(More Battery Life,MoBL) SRAM

新元件擁有32位元匯流排寬度,主要瞄準電信、電腦、週邊、消費、醫療、以及軍事等領域,

可搭配32位元 DSP 、 FPGA 以及處理器應用,提升系統效能。

新款128 Mbit(CY62192ESL)、64-Mbit (CY62182ESL) 以及32-Mbit (CY62172ESL) MoBL 元件提供 32-bit 的I/O 組態,

存取時間(TAA)為55-ns,支援1.7至5.5伏特的超寬電壓範圍。

這些低功耗非同步SRAM提供符合RoHS規範的119 BGA環保封裝,

尺吋為14.0 x 22.0 x 2.4 mm,採用Cypress高效能90奈米 R95 CMOS 製程技術。

Cypress非同步記憶體事業部資深總監Sunil Thamaran表示,

包括影像、音效、視訊以及遊戲等應用,

都需要在SRAM與控制晶片之間傳送大量的資料,

因此資料流量就成為決定效能的重要因素之一。

另外,該公司也正著手研發新一代65奈米高效能非同步記憶體產品,

除了進一步降低功耗外,還加入包括ECC資料校正等先進功能。

CY62192ESL 128-Mbit、CY62182ESL 64-Mbit 以及CY62172ESL 32-Mbit 低功耗非同步SRAM

現已向重要客戶限量供應樣本,並正進行全面的驗證。

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