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半導體與製造
【專題】ISSCC 2013報導彙編
2013/03/29 00:00
「ISSCC 2013」的正式會議于2013年2月18日（美國時間）在美國舊金山開幕，當天上午進行了主題演講。AMD公司高級副總裁兼總經理Lisa T. Su以「Architecting the Future through Heterogeneous Computing」為題發表演講，介紹了異構計算技術…… (詳見全文)
【ISSCC】台積電發佈擁有全球最小單元面積的20nm級112Mbit SRAM
台積電（TSMC）在「ISSCC 2013」上發表演講，介紹了採用20nm級平面型high-k/金屬柵極技術製造的112Mbit SRAM（演講序號：18.1）。單元面積達到0.081μm2，是截至目前的全球最小值…… (詳見全文)
【ISSCC】東芝開發出智慧手機SoC混載SRAM的低功耗技術
東芝2013年2月22日宣佈，面向智慧手機等便攜終端開發出了可降低SoC混載用SRAM耗電量的電路技術。此次開發出了能夠降低工作功耗和待機功耗的電路技術，確認可將工作功耗降低27％，將待機功耗降低85％…… (詳見全文)
【ISSCC】台積電開發出40nm製程的1M容量STT-MRAM，展示提高擦寫次數的方法
台積電（TSMC）在「ISSCC 2013」上發表了關於利用40nm製程CMOS技術製造的1MB容量STT-MRAM（自旋注入磁化反轉型MRAM）的論文，提出了將擦寫次數提高到1012次以上的電路技術提案…… (詳見全文)
【ISSCC】索尼介紹採用TSV的積層型CMOS圖像感測器的實現技術
索尼在「ISSCC 2013」上發表了演講，介紹了採用自主積層構造的背照式CMOS圖像感測器「Exmor RS」。該感測器將此前在一枚晶片上形成的畫素部分和圖像處理用邏輯電路分離，製作在不同的晶片上，然後通過TSV積層連接…… (詳見全文)
【ISSCC】松下開發出利用一個鏡頭就能獲得3D影像的CMOS圖像感測器
松下開發出了通過一個鏡頭就能獲得3D影像的相機系統用210萬畫素CMOS圖像感測器，並在「ISSCC 2013」上發表了相關技術。以前的技術需要兩套鏡頭與CMOS圖像感測器才能獲得3D影像，而此次用一套鏡頭和CMOS圖像感測器即可實現…… (詳見全文)
【ISSCC】奧林巴斯開發出積層型CMOS感測器，快速移動物體拍攝得更清楚
奧林巴斯開發出了適合拍攝快速移動物體的積層型CMOS圖像感測器，並在「ISSCC 2013」上發表了相關技術。預計將配備在奧林巴斯自己的醫療器械及影像設備。該感測器將光電二極體和存儲節點陣列分置到了不同的晶片上…… (詳見全文)
【ISSCC】瑞薩公佈28nm製程基頻整合應用處理器，採用低功耗技術
瑞薩移動和瑞薩電子在「ISSCC 2013」上發表演講，介紹了面向普及價位智慧手機的28nm製程應用處理器「R-Mobile U2」。這是兩公司於2012年2月發佈的、將基頻數據機功能與應用處理器功能集成在一枚晶片上的整合型處理器…… (詳見全文)
【ISSCC】美加州大學開發出無需外置降壓電路的集成型DC-DC轉換電路
美國加州大學柏克萊分校面向移動產品等開發出了無需外置降壓電路的集成型DC-DC轉換電路，並在「ISSCC 2013」上發表了相關論文。使用該轉換電路，可不經由外置降壓電路，直接將鋰離子電池的輸出電壓提供給SoC等部件…… (詳見全文)
【ISSCC】東芝提出信號處理新方式，減小LDPC解碼電路規模
東芝提出了將數位信號的延遲時間作為模擬量來處理的新型類比訊號處理方式，並已證實，將該方式用於NAND型快閃記憶體除錯用LDPC（Low-Density Parity-Check）解碼電路時，可將該電路的規模縮小38％…… (詳見全文)
【ISSCC】KAIST等利用「CDMA技術」提高觸控面板的反應速度和抗噪音能力
南韓KAIST大學與南韓Zinitix公司開發出了一項有助於提高靜電容式觸控面板的反應速度和抗噪音能力的技術，並在「ISSCC 2013」上發表了相關論文。以240張/秒的速度掃描由30×24的矩陣構成的觸控面板時，可獲得55dB的良好S/N比…… (詳見全文)
【ISSCC】「讓智慧手機實現超高速無線通信」，松下發表量產款WiGig晶片
松下開發出了可量產的毫米波通信用晶片組。利用該60GHz頻帶無線收發晶片組，可實現超過1Gbit/秒的數據傳輸速度。量產時需要實施的偏差修正可由內部自動處理，松下將其定位於「著眼于正式量產的晶片」…… (詳見全文)
【ISSCC】日本中央大學開發出可靠性提高31倍的NAND/ReRAM整合存儲系統
日本中央大學理工學部電氣電子資訊通信工程學系教授竹內健等人組成的研究小組在NAND快閃記憶體與電阻可變型記憶體（ReRAM）的整合存儲系統方面，開發出了可靠性提高至以前32倍的新控制技術…… (詳見全文)
【ISSCC】瑞薩公佈40nm製程車載MCU混載快閃記憶體技術
瑞薩電子在「ISSCC 2013」上就40nm製程的車載MCU混載快閃記憶體技術發表了演講（演講序號12.2）。該技術採用名為SG-MONOS（split gate metal-oxide-nitride-oxide-silicon）的自主記憶體單元構造，除隨機存取速度高達160MHz以上外，還能在170℃的高溫下工作…… (詳見全文)
【ISSCC】瑞士CSME等提出晶振+矽基MEMS技術的定時元件設計方案
瑞士電子與微技術中心（CSEM）等的研究小組在「ISSCC 2013」上發表了關於將石英振盪器與矽基MEMS技術組合的定時元件的論文。該方案是利用矽基MEMS技術（矽晶圓級封裝技術）將石英振盪器真空封裝…… (詳見全文)
【ISSCC】三星介紹採用big.LITTLE技術的28nm製程SoC
三星電子在「ISSCC 2013」上發表論文介紹了該公司採用28nm製程high-k/金屬柵極技術製造的新一代應用處理器（演講編號：9.1）。該處理器的最大特點是採用了 ARM公司的「big.LITTLE」技術，在同一晶片上集成高速CPU內核群和低功耗CPU內核群…… (詳見全文)
【ISSCC】晟碟和東芝發表32Gbit雙層交叉點式ReRAM
晟碟公司和東芝共同開發出了 32Gbit的雙層交叉點式ReRAM，並在「ISSCC 2013」上發表了相關論文。從此前的以取代NAND快閃記憶體為目標的大容量ReRAM的開發來看，「ISSCC 2010」上發表的64Mbit產品為最大規模，而此次發表了儲存容量為其500倍的晶片…… (詳見全文)
東京大學開發出了使用有機電晶體技術的、厚度約為1μm的柔性肌電測量貼片，並在「ISSCC 2013」上就其詳細情況進行了發表。該貼片除了可貼在身體表面來測量肌電位之外，還可貼到腦部等形狀複雜的組織上來測量電位…… (詳見全文)
【ISSCC】東芝開發出智慧手機用CMOS功率放大器的電源控制技術
東芝開發出了智慧手機CMOS功率放大器的電源控制技術，能夠用來改善智慧手機發送WCDMA及LTE等信號時所必需的CMOS功率放大器的電力效率。該技術可根據發送功率水準切換放大器內的電源線路，使發送RF信號時的耗電量減半…… (詳見全文)
【ISSCC】帕維亞大學開發出無需SAW濾波器的智慧手機接收IC
義大利帕維亞大學開發出了無需外置SAW（聲表面波）濾波器的手機用接收器IC，並在「ISSCC 2013」上發表了相關技術。該接受器是採用40nm製程CMOS技術製造的晶片，在沒有外置濾波器的接收器IC中實現了業界最高性能…… (詳見全文)
【ISSCC】KAIST與三星發佈無線充電接收電路，傳輸效率達86％
南韓KAIST大學與三星電子共同開發出了共振型非接觸充電（無線充電）用接收電路，並在「ISSCC 2013」上發表了相關論文。該電路採用6.78MHz的共振頻率，最大輸出功率為6W，達到以前的10倍以上，最大傳輸效率高達86％…… (詳見全文)
【ISSCC】NEC等建成邏輯記憶體IC自動設計環境，向實現「待機零功耗SoC」邁近一步
日本東北大學與NEC于2013年2月19日宣佈，已建成「基於自旋電子學技術的邏輯記憶體IC」的設計環境。兩家單位共同開發出了設計這種IC所需的基本電路庫等，完成了與CMOS SoC相同的「RTL→GDS-II自動設計流程」…… (詳見全文)
【ISSCC】IBM介紹使用5.5GHz內核的大型主機用處理器模組
IBM公司在「ISSCC 2013」上發表論文介紹了該公司大型主機「zEnterprise EC12」（zEC12）配備的處理器模組的詳細情況，該處理器模組是配備6個名為「CP晶片」的微處理器、2個名為「SC晶片」的L4快取晶片的多晶片模組…… (詳見全文)
【ISSCC】台積電談基於FinFET的設計方法：「鰭片高度偏差對SRAM影響輕微」
在「ISSCC 2013」開幕當天即2月17日（美國時間）舉行的指導會「Circuit Design using FinFETs」上，台積電項目總監、首席技術官許炳堅發表演講，介紹了使用FinFET的標準單元、SRAM及模擬電路等的設計方法…… (詳見全文)
【ISSCC】片上觀測TSV3D積層邏輯電路與記憶體間的信號品質
日本神戶大學與日本超尖端電子技術開發機構（ASET）共同開發出了一項新技術，可以片上觀測並診斷採用TSV（矽通孔）3D積層技術製成的邏輯電路與記憶體間的信號品質以及電源電壓的偏差…… (詳見全文)
在「ISSCC 2013」開幕當天即2月17日（美國時間）舉行的技術論壇「F2：VLSI Power-Management Techniques」上，三星電子該公司DRAM設計部門主任工程師Sangho Shin發表演講，介紹了DRAM的電力控制技術…… (詳見全文)
慶應義塾大學理工學部電子工學科教授黑田忠廣等的研究小組在2013年2月17～21日于美國舊金山舉行的「ISSCC 2013」上發表了4篇論文。這一發表數量與富士通集團、東芝、松下相同，居日本首位…… (詳見全文)
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