富士通半導體株式會社 下一代存儲器“FRAM”的產品化

富士通下一代存儲器技術

下一代存儲器“FRAM”的產品化,迄今為止同NAND型閃存相比,具有更優越的“高速讀寫”、“耐擦寫次數多”、“低功耗”、“安全性高”、“耐放射線”等特征,

這些都蘊含著給產品帶來新附加價值的可能性。

 

 

(詳細)↓
http://techon.nikkeibp.co.jp/go/bp.jsp?s=nead&n=102928

 

 

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